1.靜態(tài)分析要求一次離子束流要有較低的密度,因此,常常選用較大尺寸的束斑以便使得一定的靈敏度得以保持。面分布及深度剖面分析要求束斑直徑小且可進行掃描,也應當相應地提高束流密度。初次意外,進行表面清潔處理也要求束流密度比較高。因此對次束流大小及束流密度的調(diào)節(jié)范圍應當比較寬,并且選用的離子槍類型常常不同,并且對不同種類的一次離進行選用。
2.離子流檢測系統(tǒng)檢測靈敏度、動態(tài)范圍和響應速度應當盡可能高,并且相應的數(shù)據(jù)采集、處理和顯示系統(tǒng)也應該有。
3.還需帶有中和作用的電子槍以便對絕緣樣品進行分析。還常需有二次電子成像系統(tǒng)以便對表面形貌進行觀察。
4.SIMS,尤其是靜態(tài)SIMS,在超高真空下工作為基本要求。因為在樣品表面上注氧能夠使二次離子產(chǎn)額提高和穩(wěn)定,而且能夠使濺射產(chǎn)額降低,所以注氧裝置常常被要求攜帶。
5.要求可以在超高真空下機械調(diào)節(jié)樣品的位置,并且相應的送樣、取樣裝置也應當配備,樣品還應當進行加熱、冷卻、破碎和清潔處理等步驟。
6.二次離子分析系統(tǒng)的總流通率要求盡可能高,適當?shù)馁|(zhì)量分析范圍和質(zhì)量分辨率需要具備,將質(zhì)量歧視效應克服并且分析速度盡可能快。還要求可以對質(zhì)譜計前二次離子能量窗口的位置和寬度進行調(diào)節(jié)。